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三星成功完成5nmEUV开发实现更大面积扩展和超低功耗优势

先进半导体技术的全球领导者三星电子今天宣布，其 5 纳米 (nm) FinFET 工艺技术已完成开发，现在可以为客户提供样品。通过为其基于极紫外 (EUV) 的工艺产品...

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